反向传输电容(Crss):5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,500mA,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):30pF@25V,连续漏极电流(Id):0.115A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,500mA | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.15W | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.115A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |