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SMBTA06E6327HTSA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- SMBTA06E6327HTSA1
- 商品编号
- C3276474
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000073千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
射基极击穿电压(Vebo):4V,数量:1个NPN,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):100,耗散功率(Pd):330mW,集射极击穿电压(Vceo):80V,集射极饱和电压(VCE(sat)):250mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):500mA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 耗散功率(Pd) | 330mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
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