反向传输电容(Crss):19pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@2.5V,2A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):210pF,输出电容(Coss):32pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V,2A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 210pF | |
| 输出电容(Coss) | 32pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |