反向传输电容(Crss):35pF,导通电阻(RDS(on)):0.5Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):24W,输入电容(Ciss):350pF,输出电容(Coss):135pF,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.5Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 24W | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 输出电容(Coss) | 135pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |