上升时间(tr):80ns,下降时间(tf):45ns,工作温度:-25℃~+125℃,工作电压:10V~16.8V,负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,驱动配置:半桥
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 栅极驱动IC | |
上升时间(tr) | 80ns | |
下降时间(tf) | 45ns | |
工作温度 | -25℃~+125℃ | |
工作电压 | 10V~16.8V | |
负载类型 | MOSFET | |
负载类型 | IGBT | |
驱动配置 | 半桥 |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥3.54/个 |
10+ | ¥2.89/个 |
30+ | ¥2.57/个 |
100+ | ¥2.25/个 |
500+ | ¥1.85/个 |
1000+ | ¥1.75/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.61
3000 PCS/盘
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