反向传输电容(Crss):175pF,反向传输电容(Crss):125pF@30V,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@4.5V,6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,栅极电荷量(Qg):7.5nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1250pF,输入电容(Ciss):1040pF@30V,输出电容(Coss):235pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.2V,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 175pF | |
反向传输电容(Crss) | 125pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V,6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 1250pF | |
输入电容(Ciss) | 1040pF@30V | |
输出电容(Coss) | 235pF | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |