反向传输电容(Crss):113pF,导通电阻(RDS(on)):94mΩ@5V,4.5A,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):20W,输入电容(Ciss):988pF,输出电容(Coss):430pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 113pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 94mΩ@5V,4.5A | |
工作温度 | - | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | N沟道+P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 20W | |
输入电容(Ciss) | 988pF | |
输出电容(Coss) | 430pF | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |