反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,45.3A,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):860pF,输出电容(Coss):458pF,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,45.3A | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 860pF | |
| 输出电容(Coss) | 458pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |