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FDS6982AS
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDS6982AS
- 商品编号
- C86783
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.00013千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):130pF@10V,导通电阻(RDS(on)):16.5mΩ@4.5V,7.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):1250pF@10V,连续漏极电流(Id):8.6A,连续漏极电流(Id):8.6A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@4.5V,7.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 1250pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
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