反向传输电容(Crss):110pF,反向传输电容(Crss):110pF@15V,导通电阻(RDS(on)):24mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,7.5A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@10V,栅极电荷量(Qg):8.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2.4W,输入电容(Ciss):840pF,输入电容(Ciss):840pF,输出电容(Coss):150pF,连续漏极电流(Id):8.7A,连续漏极电流(Id):8.2A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,7.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 输出电容(Coss) | 150pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |