温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
LPM9030SOF
扩展库- 品牌名称
- LOWPOWER(微源半导体)
- 厂家型号
- LPM9030SOF
- 商品编号
- C387731
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.000106千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):115pF,反向传输电容(Crss):115pF@25V,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.8nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):9.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):930pF,输入电容(Ciss):930pF@25V,输出电容(Coss):148pF,连续漏极电流(Id):10A,连续漏极电流(Id):7.6A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 148pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
数据手册PDF
暂无数据手册PDF
预订参考价
0.534 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车