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MTD120C10KQ8
扩展库- 品牌名称
- CYSTECH(全宇昕)
- 厂家型号
- MTD120C10KQ8
- 商品编号
- C373364
- 商品封装
- SOP-8
- 商品毛重
- 0.00013千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):59pF,反向传输电容(Crss):59pF@20V,导通电阻(RDS(on)):150mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):1243pF,输入电容(Ciss):1243pF@20V,输出电容(Coss):126pF,连续漏极电流(Id):3.9A,连续漏极电流(Id):3.9A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1243pF | |
| 输入电容(Ciss) | 1243pF@20V | |
| 输出电容(Coss) | 126pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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