反向传输电容(Crss):110pF,导通电阻(RDS(on)):80mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):26nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):25W,输入电容(Ciss):1450pF,输出电容(Coss):145pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 输入电容(Ciss) | 1450pF | |
| 输出电容(Coss) | 145pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.309/个 |
| 50+ | ¥1.0066/个 |
| 150+ | ¥0.877/个 |
| 500+ | ¥0.715/个 |
| 2500+ | ¥0.643/个 |
| 4000+ | ¥0.6/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.552
4000 PCS/盘
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