反向传输电容(Crss):200pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.058Ω@4.5V,2.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):29nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):900pF@15V,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 200pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.058Ω@4.5V,2.9A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 900pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |