反向传输电容(Crss):200pF@15V,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@10V,9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):31.4nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1610pF@15V,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 200pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,9A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 31.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 1610pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |