反向传输电容(Crss):130pF,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):1820pF,输出电容(Coss):235pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 130pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 17nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2.1W | |
输入电容(Ciss) | 1820pF | |
输出电容(Coss) | 235pF | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |