反向传输电容(Crss):1.6pF,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):294W,输入电容(Ciss):109pF,输出电容(Coss):49.5pF,连续漏极电流(Id):1.2A,阈值电压(Vgs(th)):2.6V@115uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 294W | |
| 输入电容(Ciss) | 109pF | |
| 输出电容(Coss) | 49.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@115uA |