反向传输电容(Crss):2.1pF,工作温度:-40℃~+225℃,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):31W,输入电容(Ciss):140pF,输出电容(Coss):63pF,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -40℃~+225℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 输出电容(Coss) | 63pF | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥640.98/个 |
| 10+ | ¥618.97/个 |
| 12+ | ¥618.97/个 |
| 14+ | ¥612.78/个 |
| 16+ | ¥612.78/个 |
| 18+ | ¥612.78/个 |
整盘
单价
整盘单价¥607.502
500 PCS/盘
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