反向传输电容(Crss):2.5pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:-,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):-,类型:N沟道,耗散功率(Pd):223W,输入电容(Ciss):101pF,输出电容(Coss):53pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):4V@200uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 223W | |
| 输入电容(Ciss) | 101pF | |
| 输出电容(Coss) | 53pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@200uA |