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ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HAIMW120R080M1XKSA1
- 商品编号
- C42389164
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.0068千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):7.6pF,导通电阻(RDS(on)):98mΩ,工作温度:-56℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):71nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):192W,输入电容(Ciss):1130pF,输出电容(Coss):92pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ | |
| 工作温度 | -56℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 输入电容(Ciss) | 1130pF | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 90+ | ¥21.85/个 |
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