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IMW65R010M2HXKSA1
扩展库- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 厂家型号
- IMW65R010M2HXKSA1
- 商品编号
- C42670746
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.010067千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):22pF,导通电阻(RDS(on)):13.1mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):112nC,栅极电荷量(Qg):112nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):440W,输入电容(Ciss):4001pF,输出电容(Coss):386pF,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.1mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 440W | |
| 输入电容(Ciss) | 4001pF | |
| 输出电容(Coss) | 386pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
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