上升时间(tr):70ns,下降时间(tf):30ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,功能特性:充电泵升压,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:5V~20V,拉电流(IOH):290mA,灌电流(IOL):600mA,特性:欠压保护(UVP),特性:过压保护(OVP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):120uA,驱动通道数:-,驱动配置:高边
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | 70ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 功能特性 | 充电泵升压 | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 拉电流(IOH) | 290mA | |
| 灌电流(IOL) | 600mA | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过压保护(OVP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 静态电流(Iq) | 120uA | |
| 驱动通道数 | - | |
| 驱动配置 | 高边 |