反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):120mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.6nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):1W,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):170pF,连续漏极电流(Id):2.1A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 输入电容(Ciss) | 170pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |