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RFD14N05SM9A
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- RFD14N05SM9A
- 商品编号
- C464113
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000366千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):50pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.1Ω@10V,14A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):40nC@20V,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):48W,输入电容(Ciss):570pF@25V,连续漏极电流(Id):14A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.1Ω@10V,14A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@20V | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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