导通电阻(RDS(on)):120mΩ@2.5V,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电压(Vgs):±12V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |