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SIC MOS
扩展库- 品牌名称
- luJing(鲁晶)
- 厂家型号
- LJ1K15120
- 商品编号
- C49318159
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):26pF,导通电阻(RDS(on)):15mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):222nC,栅极电荷量(Qg):222nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):556W,输入电容(Ciss):4508pF,输出电容(Coss):214pF,连续漏极电流(Id):117A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 222nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 556W | |
| 输入电容(Ciss) | 4508pF | |
| 输出电容(Coss) | 214pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 117A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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