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NTH4L013N120M3S
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTH4L013N120M3S
- 商品编号
- C30164885
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.00928千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):21pF,导通电阻(RDS(on)):13mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):254nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):682W,输入电容(Ciss):5813pF,输出电容(Coss):262pF,连续漏极电流(Id):151A,阈值电压(Vgs(th)):4.4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 254nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 682W | |
| 输入电容(Ciss) | 5813pF | |
| 输出电容(Coss) | 262pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 151A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
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