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NVH4L070N120M3S
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVH4L070N120M3S
- 商品编号
- C20625010
- 商品封装
- TO-247-4
- 商品毛重
- 0.0083千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):35mΩ,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@18V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):57nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):160W,输入电容(Ciss):1230pF,连续漏极电流(Id):34A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@18V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 输入电容(Ciss) | 1230pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥85.06/个 |
| 10+ | ¥80.8/个 |
| 30+ | ¥73.41/个 |
| 90+ | ¥66.97/个 |
| 92+ | ¥66.97/个 |
| 94+ | ¥66.97/个 |
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