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ID:49A VDSS:650V RDON:33mR N沟道
扩展库- 品牌名称
- HXY MOSFET(华轩阳电子)
- 厂家型号
- HC3M0045065K1
- 商品编号
- C22449547
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.008033千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):33mΩ,导通电阻(RDS(on)):33mΩ@20V,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥62.0312/个 |
| 10+ | ¥53.302/个 |
| 25+ | ¥47.978/个 |
| 100+ | ¥43.516/个 |
| 102+ | ¥43.516/个 |
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