反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,3A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):12nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):500pF,输出电容(Coss):60pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 25pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 1.7W | |
输入电容(Ciss) | 500pF | |
输出电容(Coss) | 60pF | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |