反向传输电容(Crss):60pF@10V,导通电阻(RDS(on)):45mΩ@2.5V,3.7A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):513pF@10V,输出电容(Coss):74pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):0.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 60pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@2.5V,3.7A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.25W | |
输入电容(Ciss) | 513pF@10V | |
输出电容(Coss) | 74pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.657/个 |
50+ | ¥0.525/个 |
150+ | ¥0.459/个 |
500+ | ¥0.41/个 |
3000+ | ¥0.325/个 |
6000+ | ¥0.306/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.299
3000 PCS/盘
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