反向传输电容(Crss):53pF@30V,导通电阻(RDS(on)):95mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):9.8nC@5V,栅极电荷量(Qg):17.7nC@30V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):8.8W,输入电容(Ciss):637pF@30V,输出电容(Coss):70pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 53pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@5V | |
栅极电荷量(Qg) | 17.7nC@30V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 8.8W | |
输入电容(Ciss) | 637pF@30V | |
输出电容(Coss) | 70pF | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |