温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM312ME
扩展库- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 厂家型号
- AGM312ME
- 商品编号
- C5349147
- 商品封装
- SOT-23-6
- 商品毛重
- 0.000024千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):41pF,反向传输电容(Crss):42pF,导通电阻(RDS(on)):24mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,2.5A,导通电阻(RDS(on)):38mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.5nC@10V,栅极电荷量(Qg):4.8nC@10V,栅极电荷量(Qg):4.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):390pF,输入电容(Ciss):0.409nF@15V,输入电容(Ciss):409pF,输出电容(Coss):55pF,输出电容(Coss):54.5pF,连续漏极电流(Id):5.5A,连续漏极电流(Id):4.4A,连续漏极电流(Id):4.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):1.3V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 输入电容(Ciss) | 0.409nF@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 409pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 输出电容(Coss) | 54.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.563/个 |
| 50+ | ¥0.447/个 |
| 150+ | ¥0.389/个 |
| 500+ | ¥0.345/个 |
| 3000+ | ¥0.303/个 |
| 6000+ | ¥0.285/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.27876
3000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉72.72元
送
换料费券¥300
库存总量
45 PCS电话
顶部
元器件购物车