反向传输电容(Crss):120pF@15V,导通电阻(RDS(on)):22mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):19.5nC,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.56W,输入电容(Ciss):1670pF@15V,输出电容(Coss):220pF,连续漏极电流(Id):7A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 19.5nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.56W | |
输入电容(Ciss) | 1670pF@15V | |
输出电容(Coss) | 220pF | |
连续漏极电流(Id) | 7A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.604/个 |
50+ | ¥0.591/个 |
150+ | ¥0.583/个 |
500+ | ¥0.574/个 |
510+ | ¥0.574/个 |
520+ | ¥0.574/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.52808
3000 PCS/盘
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