反向传输电容(Crss):4.1pF,导通电阻(RDS(on)):1.9Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):2.4Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.12nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):30.5pF,输出电容(Coss):5.5pF,连续漏极电流(Id):0.18A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.9Ω@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.12nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 30.5pF | |
输出电容(Coss) | 5.5pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.147/个 |
50+ | ¥0.115/个 |
150+ | ¥0.0978/个 |
500+ | ¥0.0873/个 |
2500+ | ¥0.0781/个 |
5000+ | ¥0.0732/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0689
8000 PCS/盘
嘉立创补贴5.87%
一盘能省掉34.4元