反向传输电容(Crss):0.68pF,导通电阻(RDS(on)):0.78Ω,栅极电荷量(Qg):10nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):20W,输入电容(Ciss):320pF,输出电容(Coss):18pF,连续漏极电流(Id):5.5A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.68pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.78Ω | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 输入电容(Ciss) | 320pF | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.682/个 |
| 10+ | ¥6.555/个 |
| 50+ | ¥5.364/个 |
| 100+ | ¥4.641/个 |
| 500+ | ¥4.315/个 |
| 1000+ | ¥4.172/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.364
50 PCS/盘