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HV10N03

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品牌名称
R+O(宏嘉诚)
厂家型号
HV10N03
商品编号
C53329063
商品封装
SOT-89
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
-

商品参数

反向传输电容(Crss):113pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):761pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)113pF
导通电阻(RDS(on))18mΩ@10V
工作温度-55℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
漏源电压(Vdss)30V
类型N沟道
耗散功率(Pd)3W
输入电容(Ciss)761pF
连续漏极电流(Id)10A
阈值电压(Vgs(th))1.5V

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