反向传输电容(Crss):113pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):15nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):761pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 761pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.241/个 |
| 100+ | ¥0.235/个 |
| 300+ | ¥0.232/个 |
| 1000+ | ¥0.228/个 |
| 1020+ | ¥0.228/个 |
| 1040+ | ¥0.228/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.20976
1000 PCS/盘
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