反向传输电容(Crss):150pF@400V,导通电阻(RDS(on)):0.75Ω@10V,1.4A,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):8.3nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):20.8W,输入电容(Ciss):306pF@400V,连续漏极电流(Id):4A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 150pF@400V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.75Ω@10V,1.4A | |
工作温度 | -40℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 20.8W | |
输入电容(Ciss) | 306pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |