碳化硅功率MOSFET，低导通电阻、快速开关、反向恢复快、易于并联且驱动简单实物图

碳化硅功率MOSFET，低导通电阻、快速开关、反向恢复快、易于并联且驱动简单缩略图

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碳化硅功率MOSFET，低导通电阻、快速开关、反向恢复快、易于并联且驱动简单

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品牌名称: NCE(无锡新洁能)
厂家型号: NCES120P013T
商品编号: C54425845
商品封装: TO-247-3L
商品毛重: 0.008237千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):13mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):236nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):652W,输入电容(Ciss):6300pF,输出电容(Coss):270pF,连续漏极电流(Id):158A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.8V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	6pF
导通电阻(RDS(on))	13mΩ
工作温度	-55℃~+175℃
数量	1个N沟道
栅极电荷量(Qg)	236nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	N沟道
耗散功率(Pd)	652W
输入电容(Ciss)	6300pF
输出电容(Coss)	270pF
连续漏极电流(Id)	158A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	4.8V