反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):7.5Ω@5V,0.05A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):25pF,连续漏极电流(Id):600mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@5V,0.05A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 25pF | |
连续漏极电流(Id) | 600mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |