导通电阻(RDS(on)):81mΩ@18V,12A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):64nC@18V,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):115W,输入电容(Ciss):1498pF@800V,连续漏极电流(Id):26A,阈值电压(Vgs(th)):4.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 81mΩ@18V,12A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@18V | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 115W | |
| 输入电容(Ciss) | 1498pF@800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥80.84/个 |
| 10+ | ¥78.06/个 |
| 12+ | ¥78.06/个 |
| 14+ | ¥78.06/个 |
| 16+ | ¥78.06/个 |
| 18+ | ¥78.06/个 |
整盘
单价
整盘单价¥76.613
450 PCS/盘
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