工作温度:-65℃~+150℃@(Tj),晶体管类型:PNP,特征频率(fT):20MHz,直流电流增益(hFE):50@10mA,10V,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):450V,集射极饱和电压(VCE(sat)):500mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 20MHz | |
直流电流增益(hFE) | 50@10mA,10V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 450V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |