反向传输电容(Crss):15.8pF@400V,导通电阻(RDS(on)):34mΩ@15V,50A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):146nC@15V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):440W,输入电容(Ciss):5378pF@400V,连续漏极电流(Id):97A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15.8pF@400V | |
导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@15V,50A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 146nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 440W | |
输入电容(Ciss) | 5378pF@400V | |
连续漏极电流(Id) | 97A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |