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P3M12017K4
扩展库- 品牌名称
- PN Junction
- 厂家型号
- P3M12017K4
- 商品编号
- C5706170
- 商品封装
- TO-247-4L
- 商品毛重
- 0.007718千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):21pF@800V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):789W,输入电容(Ciss):7330pF@800V,连续漏极电流(Id):154A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@800V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 789W | |
| 输入电容(Ciss) | 7330pF@800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 154A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
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