导通电阻(RDS(on)):16.9mΩ@18V,58A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):170nC@18V,漏源电压(Vdss):750V,耗散功率(Pd):312W,输入电容(Ciss):4580pF@500V,连续漏极电流(Id):105A,阈值电压(Vgs(th)):4.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 16.9mΩ@18V,58A | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 170nC@18V | |
漏源电压(Vdss) | 750V | |
耗散功率(Pd) | 312W | |
输入电容(Ciss) | 4580pF@500V | |
连续漏极电流(Id) | 105A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V |