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CMD80P02B
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CMD80P02B
- 商品编号
- C6939707
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.000377千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):360pF@10V,导通电阻(RDS(on)):6.2mΩ@2.5V,15A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):47nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):3550pF@10V,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@2.5V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 输入电容(Ciss) | 3550pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
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