反向传输电容(Crss):10pF,导通电阻(RDS(on)):0.46Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC,漏源电压(Vdss):450V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):1600pF,输出电容(Coss):130pF,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.46Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | 1600pF | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.51/个 |
| 10+ | ¥1.97/个 |
| 50+ | ¥1.74/个 |
| 100+ | ¥1.45/个 |
| 500+ | ¥1.33/个 |
| 1000+ | ¥1.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.6008
50 PCS/盘
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