反向传输电容(Crss):33pF@30V,导通电阻(RDS(on)):33mΩ@10V,5.3A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):13.3nC@5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2.7W,输入电容(Ciss):1100pF@30V,连续漏极电流(Id):6.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 33pF@30V | |
导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,5.3A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 2.7W | |
输入电容(Ciss) | 1100pF@30V | |
连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V |