反向传输电容(Crss):84pF@20V,导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):2W,耗散功率(Pd):36W,输入电容(Ciss):1040pF@20V,连续漏极电流(Id):40A,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 84pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,20A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 输入电容(Ciss) | 1040pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |