射基极击穿电压(Vebo):5V,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):120MHz,直流电流增益(hFE):40@1A,1V,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):25V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.6V@1A,100mA,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):1A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 120MHz | |
直流电流增益(hFE) | 40@1A,1V | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.6V@1A,100mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 1A |